Signalsensoren Ø5mm Metallfassungen, CuZn verchromt

Kurzübersicht

Fototransistor

 

  • Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: V 30V
  • Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung: V 5V
  • Verlustleistung: P 100mW
  • Ausstiegszeit t, Abfallzeit t: 3µs
  • Wellenlänge: λ 940nm
  • Kollektor-Emitter-Strom: I 100µA

 

 


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